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IPD60R950C6产品参数_产品特征_原厂出售
372 2023-12-08 14:39:28 来源: 网络 作者: IC先生
CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效，结构紧凑、重量更轻、温度更低。
IPD60R950C6的特性
- 易于控制开关行为
- 由于非常低的品质因数（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此损耗极低
- 非常高的换流坚固性
- 使用简便
- 与 C3 相比，具有更高的轻载效率
- 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性
- 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比，性价比更高
- 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低
IPD60R950C6优势
- 提升功率密度
- 提升可靠性
- 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用
- 提高轻载效率
- 提高在硬开关应用中的效率
- 改进了易用性
- 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引发的振荡
IPD60R950C6规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.44 |
| ID(@25°C) | 4.4 A |
| ID | 4.4 A |
| IDpuls | 12 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 37 W |
| 包 | DPAK (TO-252) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 13 nC |
| 路上 | 13 nC |
| RDS (on) (@10V) | 950 mΩ |
| RDS(上) | 950 mΩ |
| 仅仅 | 3.41 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 3.41 K/W |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 3 V 2.5 V 3.5 V |
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芯片
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