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IPP65R110CFD规格参数_产品特点_现货专卖
257 2023-12-08 09:03:24 来源: 网络 作者: IC先生
650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7
650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先高压 CoolMOS™ MOSFET，具有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600V CFD 后续产品，能效进一步提升。更软的换向行为以及更优秀的电磁干扰行为，使这款产品比竞争产品明显更具优势。
IPP65R110CFD的特性
- 采用 650V 技术并集成快速体二极管
- 硬换向期间限制电压过冲
- 与 600V CFD 技术相比，Qg 显著降低
- 更窄的 RDS(on) 最大值到 RDS(on) 典型值窗口
- 设计导入容易
- 与 600V CFD 技术相比，价格更低
IPP65R110CFD优势
- 体二极管重复换向时 Qrr 低，从而降低开关损耗
- 自限制 di/dt 和 dv/dt
- 低 Qoss
- 减少导通和关断延迟时间
- 出色的 CoolMOS™ 质量
IPP65R110CFD规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 3.01 ; 3.01 |
| ID(@25°C) | 31.2 A |
| ID | 31.2 A |
| IDpuls | 99.6 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 277.8 W |
| 包 | TO-220 |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 118 nC |
| 路上 | 118 nC |
| RDS (on) (@10V) | 110 mΩ |
| RDS(上) | 110 mΩ |
| 仅仅 | 0.45 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 0.45 K/W |
| 特殊功能 | fast recovery diode |
| VDS公司 | 650 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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芯片
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