概述
L6474器件采用模拟混合信号技术实现,集成了双低R
DS(上)
DMOS全桥与所有功率开关配备了精确的片上电流传感电路,适用于非耗散电流控制和过流保护。
所有数据寄存器,包括用于设置模拟值(即:电流控制值,电流保护跳闸点,死区时间等)的寄存器都通过标准的5mbit /s SPI发送。
一套非常丰富的保护(热,低母线电压,过流)使L6474器件“防弹”,以满足最苛刻的电机控制应用的要求。
L6474符号图

L6474功能参数
- 工作电压:8 ~ 45v
- 7.0 A输出峰值电流(3.0 Ar.m.s)
- 低RDS(on)功率mosfet
- 可编程电源MOS转换率
- 高达1/16微步进
- 具有自适应衰减的电流控制
- 非耗散电流传感
- SPI接口
- 低静态和待机电流
- 可编程的非耗散过流保护在所有功率MOS
- 两级超温保护
L6474引脚图

L6474 3D图

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