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STDRIVEG600W中文规格_引脚特性_现货专卖
182 2023-12-12 13:02:15 来源: 网络 作者: IC先生
概述
STDRIVEG600W是一款用于增强模式GaN场效应管或n沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅驱动器。
高侧部分设计承受高达600v的电压，适用于母线电压高达500v的设计。
该器件设计用于驱动高速GaN和Si fet，具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V电源电压下的工作。
STDRIVEG600W在上下驱动部分都具有UVLO保护，防止功率开关在低效率或危险情况下工作，联锁功能避免交叉导通情况。
逻辑输入是CMOS/TTL兼容，低至3.3 V，便于与微控制器和DSP接口。
STDRIVEG600W符号图
STDRIVEG600W功能参数
- dV/dt抗扰度±200 V/ns
- 驱动电流能力:
- 1.3/2.4 A源/汇型@ 25°C, 6 V
- 5.5/6 A源/汇型@ 25°C, 15 V
- 分开打开和关闭栅极驱动器引脚
- 45 ns的传播延迟与紧密匹配
- 3.3 V, 5 V TTL/CMOS输入带迟滞
- 联锁功能
- UVLO在低侧和高侧部分
- 专用引脚关闭功能
- 过温保护
STDRIVEG600W引脚图
STDRIVEG600W 3D图
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文章标签:
芯片
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