概述
该器件是一个内置振荡器的高压半桥驱动器。
输出驱动器设计用于驱动外部n沟道功率MOSFET和IGBT。
有两种型号:L6571A和L6571B。
L6571符号图

L6571功能参数
- 防静电保护
- 抗扰度可达±50V/ns
- 可编程振荡器频率
- 带迟滞的欠压闭锁
- 高压导轨可达600v
- 15.6v齐纳夹紧vs
- BCD离线技术
- 极低的启动电流:150µa
- 死区时间1.25µs (L6571A)或0.72µs (L6571B)
- 驱动电流能力:吸收电流= 270 ma / t,源电流= 170mA / t
L6571引脚图

L6571 3D图

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