概述
STG3856是一款高速CMOS低压双模拟SP3T(单极三掷)开关或双3:1多路/解路开关,由硅栅极C制造
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金属氧化物半导体技术。
该器件在电压下提供非常低的导通电阻(< 1.0 Ω)
CC
= 4.3 v。
STG3856符号图

STG3856功能参数
- ESD performance (analog channel vs. GND): HBM > 2 kV (MIL STD 883 method 3015)
- 锁存性能超过300 mA (JESD 17)
- 在VCC = 2.3 V时,tPD = 0.3 ns(类型)= 3.0,VtPD = 0.4 ns(类型
- 低导通电阻VIN = 0 V:RON = 1.0 Ω
- 超低功耗:TA = 85℃时,Icc = 0.2 μA(最大)
- 在VCC = 2.3至4.3 V时,数字控制输入的4.3 V容忍和1.8 V兼容阈值
- 宽工作电压范围:VCC (opr) = 1.65 V至4.3 V单电源
STG3856引脚图

STG3856 3D图

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