概述
STG4160器件是一种高速CMOS低压单模拟SPDT(单极双掷)开关或2:1多路/解路开关,由硅栅极C制成
2
金属氧化物半导体技术。
CC
= 4.3 v。
当SEL输入保持高时,S1开关为ON(连接在公共端口D上),SEL输入保持低时,S1开关为OFF(两个端口之间存在高阻抗状态)。
其他关键特性是快速开关速度,断开前制造延迟时间和超功耗。
STG4160符号图

STG4160功能参数
- 宽工作电压范围:VCC(开比)= 1.65至4.8 V
- 低功耗:TA= 85℃时,ICC= 0.2 μA(最大)
- 低导通电阻:
- RON= 0.75 Ω (TA= 25°C), VCC= 2.25 V
- RON= 0.50 Ω (TA= 25°C), VCC = 3.0 V
- RON = 0.40 Ω (TA= 25°C), VCC = 4.3 V
- 开关和控制引脚的单独供电电压
- 锁存性能超过100ma / JESD 78 II级
- 在公共引脚(D引脚)上测试ESD性能:
- 15 kV IEC 61000-4-2 ESD,接触放电
- 8 kV HBM JESD22 A114-B II类
- S1和S2引脚上的ESD性能测试:8kv IEC 61000-4-2 ESD,接触放电
- 其他所有引脚的ESD性能测试:
- 4kv HBM (JESD22 A114-B II类)
- 400v电机型号(JESD22 A115-A)
- 1500 V充电器件型号(JESD22 C101)
STG4160引脚图

STG4160 3D图

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