概述
STG719是一种高速单极双掷开关,由硅栅C制成
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金属氧化物半导体技术。
它在5V 25˚C时提供4Ω最大导通电阻和非常低的导通电阻平坦度。
在
= 7 ns, t
从
=4.5ns),先断开后制造延迟时间,低功耗。
所有输入和输出都配备了防静电保护电路,使它们具有ESD抗扰性和瞬态过电压。
STG719符号图

STG719功能参数
- 高速:VCC = 5V时tPD = 0.3ns (TYP.) VCC = 3.3V时tPD = 0.4ns (TYP.
- 低“on”电阻:RON = 4Ω(最大;
- 低功耗:温度=25˚C\t时,ICC = 1μA(最大)
- 宽工作电压范围:VCC (OPR) = 1.8V至5.5V单电源\t
STG719引脚图

STG719 3D图

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