概述
HCF40106是采用金属氧化物半导体技术制造的单片集成电路,采用SO-14封装。
HCF40106由六个施密特触发电路组成。
P
)和负电压(V
N
)定义为迟滞电压(V)
H
).
HCF40106符号图

HCF40106功能参数
- 施密特触发行动,没有外部组件
- 迟滞电压一般为:VDD= 5v时0.9 V, VDD= 10v时2.3 V, VDD= 15v时3.5 V
- 抗噪性大于50%
- 对输入上升和下降时间没有限制
- 在缓慢的输入斜坡期间,低vdd到vs电流
- 标准化对称输出特性
- 静态电流最高可达20v
- 5v, 10v和15v参数额定
- 在VDD= 18 V, TA= 25℃时,输入漏电流II= 100 nA(最大)
- 100%测试静态电流
- 防静电性能
- HBM: 2 kV
- Mm: 200v
- CDM: 1kv
HCF40106引脚图

HCF40106 3D图

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