结型场效应晶体管,简称JFET,已被广泛用于电子电路中。结型场效应管JFET是一种可靠且有用的电子元件,可以很容易地用于从放大器到开关电路的各种电子电路中。
结型场效应管JFET已经面市多年,尽管它们不提供MOSFET的极高水平的直流输入电阻,但它们仍然非常可靠、坚固且易于使用。这使得这些电子元件成为许多电子电路设计的理想选择。此外,这些组件还提供有引线和表面贴装器件格式。
JFET是结栅场效应晶体管,普通晶体管是电流控制器件,需要电流进行偏置,而JFET是电压控制器件。与MOSFET一样,JFET也是具有三个端子,Source(源)、Drain(漏极)和Gate(栅极)。
基本上,结型场效应管JFET由一段硅组成,其电导由电场控制。电流流过的硅部分称为通道,它由一种类型的硅组成,N型或P型,其中使用较多的N沟道。
器件两端的连接称为源极和漏极,控制电流的电场被施加到称为栅极的第三电极。
由于只有电场控制在通道中流动的电流,因此该器件被称为电压操作,并且它具有高输入阻抗,通常为数兆欧。与电流操作并具有低得多的输入阻抗的双极晶体管相比,这可能是一个明显的优势。
在上图中可以看到JFET的基本结构,其中N沟道JFET由N型衬底中的P型材料组成,而P型衬底中使用N型材料以形成P沟道JFET。
JFET是使用半导体材料的长沟道构造的。根据构造工艺,如果JFET包含大量的正电荷载流子(称为空穴)是P型JFET,如果它有大量的负电荷载流子(称为电子)称为N型场效应管。
在半导体材料的长沟道中,在每一端创建欧姆接触以形成源极和漏极连接。PN结形成在沟道的一侧或两侧。
当然,无论使用什么材料,漏极和源极之间的距离都很重要,应该保持在最小。这减少了需要高频性能的传输时间,并提供了低导通电阻,这在器件用于电源或开关应用时至关重要。
另外,鉴于其受欢迎程度,JFET可提供多种封装。它们被广泛用作流行的TO92塑料封装以及许多其他封装上的含铅电子元件。而作为表面贴装器件,它们采用包括SOT-23和SOT-223在内的封装。
想要知道结型场效应管的工作原理,最简单的方法就是把它想象成花园软管。假设一个花园软管正在提供流过它的水流。如果我们挤压软管,水流会减少,如果我们完全挤压它,水流会在某个点为零。
JFET正是以这种方式工作的,如果我们将软管与JFET互换,将水流与电流互换,然后构建载流通道,我们就可以控制电流。
当栅极和源极之间没有电压时,通道变成一条平滑的路径,为电子流动敞开。
但是,当在栅极和源极之间施加反向极性的电压时,会发生相反的情况,这会使PN结反向偏置,并通过增加耗尽层使沟道变窄,并可能使 JFET 处于截止或夹断区域。
在下图中,我们可以看到饱和模式和夹断模式,可以直观看到耗尽层变宽,电流变小。
在上图中,JFET通过可变直流电源偏置,该直流电源将控制JFET的V GS。
注意,这里还在漏极和源极之间施加了电压,使用变量V GS,可以绘制JFET的IV曲线。
在上面的IV特性图像中,可以看到三个图表,分别对应三个不同的V GS电压值,0V、-2V和-4V。存在三个不同的区域欧姆区、饱和区和击穿区域。在欧姆区,JFET就像一个压控电阻器,其中电流由施加在其上的电压控制。之后,JFET进入曲线几乎笔直的饱和区。这意味着电流足够稳定,V DS不会干扰电流。但当V DS远大于容差时,JFET会进入电流不受控制的击穿模式。
P沟道JFET的这条IV曲线也几乎相同。当 V GS和夹点电压或 (V P ) 相同时,JFET将进入截止模式。同样如上曲线,对于N沟道JFET,当V GS增加时,漏极电流增加。但是对于P沟道JFET,当V GS增加时,漏极电流会减小。
有几种不同的特性可用于定义JFET的性能,其中输出或漏极特性以及传输特性是这些电子元件运行的关键。这些是电子电路设计的关键,在使用它们时理解它们很重要。
以下将依次简单说明各种类型的JFET特性。
JFET是一种电压控制的恒流器件,其中输入电压的变化控制输出电流。JFET的一些主要优点如下:
结型场效应管JFET随处可见,这些半导体器件可以用很少的钱买到。这使得它们非常适合在成本和性能之间取得良好平衡的许多电子电路中使用。
与此同时,JFET还是模拟电子设备中精密电平电压操作控制的重要组件。我们可以将JFET用作压控电阻或开关,甚至可以使用JFET制作放大器。它也是替代 BJT的节能版本。JFET提供低功耗和相当低的功耗,从而提高了电路的整体效率。它还提供非常高的输入阻抗,这也是优于BJT。
以上就是简单介绍结型场效应管JFET主要构造特性和工作原理等相关内容,仅供参考。如果想了解更多JFET相关知识,欢迎关注我们,后期将会更新科普更多内容。


