概述
STAC4932F是一款n沟道MOS场效应射频功率晶体管。
STAC4932F得益于最新一代高效、正在申请专利的封装技术(也称为STAC)。
STAC4932F符号图

STAC4932F功能参数
- 优异的热稳定性
- 公共源推拉配置
- POUT = 1000 W最小值(1200 W类型),在123 MHz时增益为26 dB
- 脉冲条件:1ms, 10%
- 符合2002/95/EC欧洲指令
- ST空腔STAC封装技术
STAC4932F引脚图

STAC4932F 3D图

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