概述
该器件是一个共源n通道,增强模式横向场效应射频功率MOSFET。
PD57060S-E符号图

PD57060S-E功能参数
- 优异的热稳定性
- 公共源配置
- POUT = 60w,增益14.3dB @ 945 MHz/28 V
- 新型射频塑料封装
PD57060S-E引脚图

PD57060S-E 3D图

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