齐纳二极管,英文名Zener Diode,又叫稳压二极管或击穿二极管,与标准PN结二极管基本相同,但它们经过专门设计,具有低且指定的反向击穿电压,可利用施加的任何反向电压给它。
齐纳二极管不仅允许电流从阳极流向阴极,还允许电流在达到齐纳电压时反向流动,这种效应称为齐纳效应。由于此功能,齐纳二极管是最常用的半导体二极管。
据了解,齐纳二极管是用各种各样的齐纳电压 (Vz) 制造的,有些甚至是可变的。Clarence Melvin Zener是第一个描述齐纳二极管电气特性的人。克拉伦斯·齐纳 (Clarence Zener) 是一位在贝尔实验室工作的理论物理学家,由于他的工作,齐纳二极管以他的名字命名。
齐纳二极管在正向偏置时的工作方式与普通二极管一样。但是,当以反向偏置模式连接时,会有少量漏电流流过二极管。随着反向电压增加到预定的击穿电压(Vz),电流开始流过二极管。电流增加到最大值,这由串联电阻决定,然后在很宽的施加电压范围内稳定并保持恒定。
齐纳二极管有两种类型的故障:
齐纳二极管的雪崩击穿
正常二极管和齐纳二极管在高反向电压下都会发生雪崩击穿。当向PN结施加高值的反向电压时,自由电子获得足够的能量并以高速加速。这些高速运动的自由电子会碰撞其他原子并击落更多的电子。由于这种连续的碰撞,二极管中的电流迅速增加,从而产生大量的自由电子。电流的这种突然增加可能会永久性地破坏正常的二极管,但是,齐纳二极管被设计为在雪崩击穿下工作,并且可以承受电流的突然尖峰。雪崩击穿发生在齐纳电压 (Vz) 大于6V的齐纳二极管中。
齐纳二极管的齐纳击穿
当施加的反向偏压接近齐纳电压时,耗尽区的电场强度足以将电子从其价带中拉出。从耗尽区的强电场中获得足够能量的价电子脱离母原子。在齐纳击穿区,电压的小幅增加会导致电流的快速增加。
雪崩击穿与齐纳击穿的区别
齐纳二极管的封装方式有很多种。一些用于高功率耗散,而另一些则包含在表面贴装格式中。最常见的齐纳二极管类型包含在一个小的玻璃封装中,它的一端有一条带标记二极管的阴极侧。
从上图中可以看到,封装周围的带对应于二极管电路符号上的线,这可以很容易地记住两端。
齐纳二极管电路符号在条的末端放置两个标签,如上图所示,一个在向上方向,另一个在向下方向。这有助于将齐纳二极管与电路中的其他形式的二极管区分开来。
下图显示了齐纳二极管的VI特性,当反向偏置电压施加到齐纳二极管时,它只允许少量的漏电流,直到电压低于齐纳电压。
其实,齐纳二极管的VI特性可分为以下两部分:
在上图中,第一象限代表齐纳二极管的正向特性。从图中可以看到它与任何其他PN结二极管的正向特性几乎相同。
齐纳二极管的反向特性
当反向电压施加到齐纳电压时,最初有一个小的反向饱和电流Io 流过二极管。该电流是由热产生的少数载流子引起的。随着反向电压的增加,在一定的反向电压值下,反向电流急剧急剧增加。这表明发生了故障。我们将此电压称为击穿电压或齐纳电压,用Vz表示。
齐纳二极管的一些常用规格如下:
以下是齐纳二极管的应用特性,主要有3个方面。
下图是齐纳二极管的标准齐纳电压,仅供参考:
简单来说,齐纳二极管是一种允许电流正向或反向流动的半导体器件,主要用作并联电压调节器。齐纳二极管与负载并联以使其反向偏置,一旦齐纳二极管超过拐点电压,负载两端的电压就会变为恒定。
齐纳二极管和普通二极管的主要区别在于电流的通过。普通二极管允许电流仅沿一个方向流动,而齐纳二极管允许电流沿两个方向流动。

