SN6505BDBVT是一款具有低噪声和低EMI的推挽式变压器驱动器,专为具有微小外形的隔离电源而创建。它使用2.25V至5V的直流电源来驱动薄型、中心抽头的变压器。通过控制输出开关电压的转换速率并使用扩频时钟,可以实现超低噪声和 EMI (SSC)。
SN6505BDBVT的振荡器和栅极驱动电路提供控制以地为参考的N通道电源开关所需的互补输出信号。该器件具有两个1-A功率MOSFET开关,以确保即使在高负载下也能启动。当使用多个变压器驱动器或精确放置开关谐波时,也可以从外部提供开关时钟。一个1.7 A限流器、一个欠压锁定、一个热关断。凭借其巨大的负载电容器和软启动功能,SN6505BDBVT避免了上电期间的显着浪涌电流。
SN6505BDBVT采用的是微型6引脚SOT23/DBV封装,有一个420 kHz内部振荡器,适用于需要更高效率和更小变压器尺寸的应用。该器件的工作温度范围为-55°C至125°C。
| 类型 | 描述 |
| 类别 | 集成电路 (IC) |
| 电源管理 (PMIC) | |
| 电源管理–Specialized | |
| 制造商 | 德州仪器 |
| 包裹 | 卷带 (TR) |
| 切割胶带 (CT) | |
| 数码卷轴® | |
| 应用 | 变压器驱动器 |
| 供电 | 1.56毫安 |
| 电压 – 电源 | 2.25V~5.5V |
| 工作温度 | -55℃~125℃ |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装/案例 | SOT-23-6 |
引脚配置说明:
| PIN | 引脚名称 | 功能描述 |
| 1 | D1 |
第一个功率MOSFET开漏输出。通常连接到中心抽头变压器的外部端子。由于大电流流过这些引脚,因此它们外部走线应保持较短。
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| 2 | VCC |
这是设备电源引脚。应使用4.7μF或更大的低 ESR电容器对其进行旁路。
当VCC ≤ 2.25 V时,内部欠压锁定电路跳闸并关闭两个输出。
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| 3 | D2 |
第二个功率MOSFET开漏输出。通常连接到中心抽头变压器的外部端子。由于大电流流过这些引脚,因此它们外部走线应保持较短。
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| 4 | GND |
GND通过内部检测电路连接到功率 MOSFET 开关的源极。
由于大电流流过它,因此GND端子必须连接到低电感质量接地层。
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| 5 | CN |
EN引脚打开或关闭设备。将此引脚接地或悬空会禁用所有内部电路。如果未使用,该引脚应直接连接到VCC。
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| 6 | CLK |
该引脚用于使用外部时钟运行设备。在内部它被下拉到GND。如果在此引脚上未检测到有效时钟,则器件会自动切换到内部时钟。
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SN6505BDBVT是一款变压器驱动器,专为使用推挽拓扑结构的低成本、小形状因数、隔离DC/DC转换器而设计,该设备包括为栅极驱动电路供电的振荡器。栅极驱动器包括分频器和先断后合(BBM)逻辑,提供两个互补的输出信号,交替地导通和截止两个输出晶体管。
SN6505BDBVT振荡器的输出频率被二分频,随后的先断后合逻辑在两个信号的高脉冲之间插入死区时间。在栅极中的任何一个可以呈现逻辑高之前,BBM逻辑确保短时间段,在此期间两个信号都是低的并且两个晶体管都是高阻抗的。这段短时间,是为了避免一次侧的两端短路。所得到的输出信号呈现用于输出晶体管的栅极驱动信号。