IRF640N功率MOSFET引脚图_规格参数

IRF640N功率MOSFET使用成熟的硅技术为设计人员提供多样化的器件组合，以服务于各种应用，包括直流电机、逆变器、SMPS、灯、负载开关和电池供电应用。

为便于设计，IRF640N器件可选择具有行业标准尺寸的表面贴装和通孔封装。在本文中，小编将详细介绍下IRF640N器件，，包括主要特性、引出线、规格参数以及IRF640N数据表相关内容。

什么是MOSFET？

简而言之，MOSFET是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，用于在电路中切换或放大电压。作为场效应晶体管家族的一员，它是一种由3个端子构成的电流控制器件：

1. 源极
2. 栅极
3. 漏极

MOSFET晶体管的用途本质上是控制源极和漏极之间的电压/电流，其工作原理因MOSFET的类型而异。

规格参数

参数	属性值
安装方式	通孔
包装/案例	TO-220-3
晶体管极性	N沟道
通道数	1个
Vds–漏源击穿电压	200伏
Id–连续漏极电流	18安培
Rds On – 漏源电阻	150毫欧
Vgs – 栅源电压	– 20伏，+20伏
Vgs th – 栅源阈值电压	2伏
Qg – 栅极电荷	44.7纳米
最低工作温度	– 55摄氏度
最高工作温度	+ 175摄氏度
Pd – 功耗	150瓦
配置	单级
下降时间	5.5纳秒
正向跨导 – 最小值	6.8秒
高度	15.65毫米
长度	10毫米
上升时间	19纳秒
子类别	MOSFET
典型关断延迟时间	23纳秒
典型的开启延迟时间	10纳秒
宽度	4.4毫米
单位重量	2克

功能特点

• 超低导通电阻

- rDS(ON) = 0.102Ω（典型值），VGS=10V

• 仿真模型

-温度补偿PSPICE®和SABRE©电气模型

-Spice和SABRE©热阻抗模型

• 峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS评级曲线
• 先进工艺技术
• 动态dv/dt额定值
• 175°C工作温度
• 快速切换
• 完全雪崩额定
• 易于并联
• 简单的驱动要求
• 符号无铅要求

等效和替代的晶体管型号包括IRFB23N20D、IRFB260N、IRFB31N20D、IRFB38N20D、IRFB4127、IRFB4227、IRFB4229、IRFB4233、IRFB42N20D、IRFB4332。

引脚配置

功能框图

典型的输出特性

典型的传输特性

典型的源极到漏极正向电压特性

最大安全操作区域

栅极电荷测试电路

开关时间测试电路

未钳位能量测试电路

峰值二极管恢复dv/dt测试电路

封装设计参数

主要应用

IRF640N是一种N沟道功率MOSFET，主要应用在高功率和高电压开关电路中。IRF640N具有以下一些特点，具体包括：

1. 高速开关：由于其低输入和输出电容，允许更快的开关速度。

2. 低导通电阻：具有很低的导通电阻，可实现更高的功率输出。

3. 高温饱和电压等级：IRF640N 具有600V的高治理电压等级，允许它经受高电压和大电流。

基于这些特点，IRF640N主要应用在各种高功率开关电路，例如直流—交流变换器、DC-DC转换器、电动工具、电机驱动器、电源管理、转换器和灯光控制器等的开关。此外，它也可以应用于汽车电子设备、太阳能逆变器、风力发电机、电气焊接设备和电池充电器等领域。

常见问题

IRF640N通道数是多少？

答：1个

IRF640N连续漏极电流是多少？

答：Vgs=18伏

IRF640N可以在100℃下工作吗？

答：可以，其推荐工作温度在-55°C~175°C之间。

IRF640N有多少个管脚？

答：有3个引脚。

IRF640N的尺寸是多少？

答：高度15.65毫米/长度10毫米/宽度4.4毫米。