| IRF640 | IRF740 |
| 封装类型：TO-220 | 封装类型：TO-220等封装 |
| 晶体管类型：N沟道 | 晶体管类型：N沟道 |
| 从漏极到源极施加的最大电压：400V | 从漏极到源极施加的最大电压：200V |
| 最大栅源电压应为：±20V | 最大栅源电压应为：±20V |
| 最大持续漏极电流为：10A | 最大持续漏极电流为：18A |
| 最大脉冲漏极电流为：40A | 最大脉冲漏极电流为：72A |
| 最大功耗为：125W | 最大功耗为：125W |
| 导通所需的最小电压：2V至4V | 导通所需的最小电压：2V至4V |
| 最高存储和工作温度应为：-55至+150摄氏度 | 最高存储和工作温度应为：-55至+150摄氏度 |
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详细对比IRF740和IRF740 N沟道MOSFET
641 2024-01-09 16:33:11 来源: IC先生 作者: IC先生
IRF740是一款高压N沟道MOSFET，该晶体管基本上是为高压和高速开关应用而设计的。该晶体管可驱动的最大负载电压高达400V，最大负载电流为10A。脉冲模式下的最大电流为40A，导通电阻 (RDS) 为0.55欧姆。400V的最大漏源电压使其非常适合驱动电子电路中的各种高压负载。
IRF640是一款N沟道MOSFET，专为高速开关目的而设计。这种高速开关能力在开关速度至关重要的应用中非常有用，例如在 UPS电路中或在用户想要将负载输入功率从一个电源更改为另一个电源的任何其它应用中。
IRF640晶体管能够驱动高达18A的负载，电压高达200V，其栅极的最小饱和电压仅为2V至4V。脉冲漏极电流为72A，这意味着该MOSFET可以在短时间内驱动高达72A的负载，或者当负载未连续连接且仅连接 300us（微秒）时间段且占空比为1.5%时。
CAD模型对比
引脚排列对比
二者之间的引脚排列没有任何区别：
替换和等效型号
IRF740替换和等效型号：2SK1400A、BUK457-400B、BUZ61A、IRF740S、MTP10N40E、RFP7N35、RFP7NA40
IRF640替换和等效型号：YTA640、IRF641、IRF642、IRFB4620、IRFB5620、2SK740、STP19NB20、YTA640、BUK455-200A、BUK456-200A、BUK456-200B、BUZ30A、MTP20N20E、RFP15N15、2SK89 1、18N25、18N40、22N20。
特性/技术规格
应用特性对比
| IRF740 | IRF640 |
| 需要快速切换的应用 | 电池充电器和 BMS |
| 高压应用 | 太阳能电源应用 |
| 电机驱动器 | 需要快速切换的应用 |
| 直流电机驱动器和控制器应用 | 电机驱动器 |
| UPS | UPS |
| 电池充电器电路 |
1、可以在哪里使用它以及如何使用：IRF640与IRF740
IRF640可用于开关速度很重要的电路，例如电池备份系统、不间断电源等，并且在通用开关应用中也能表现良好。除此之外，它还可以用于音频放大器的构建块。
IRF740可用于需要以10A负载电流驱动高达400V电压负载的电路。此外，高速切换能力使其适用于用户需要在纳秒内从一个源切换到另一个源的应用。
400V负载能力使其适合用于各种高压应用，例如不间断电源、LED和其它灯镇流器等。此外，该晶体管还可用于音频放大器电路级，也可用作单独的音频放大器。
2、如何在电路中安全地长时间运行：IRF640与IRF740
- IRF640；为了获得长期性能，我们始终建议所有组件的使用量至少低于其最大额定值20%， IRF640也是如此。最大漏极电流为18A，因此请勿驱动超过14.4A的负载。最大负载电压为200V，为安全起见，请勿驱动超过160V的负载。最大脉冲漏极电流为72A，因此最大脉冲负载不应超过57.6A。为晶体管使用合适的散热器，并始终在高于-55摄氏度和低于+150摄氏度的温度下存储或操作设备。
- IRF740；为了实现组件的长寿命性能，重要的是不要在其最大额定值下使用组件，并且始终使用低于其最大额定值至少20%的组件，因此IRF740 MOSFET也是如此。最大连续漏极电流为10A，因此请勿驱动超过8A的负载。最大漏源电压为400V，因此请勿驱动超过320V的负载。无论在何处运行，都应为晶体管使用合适的散热器，并始终在高于-55摄氏度和低于+150摄氏度的温度下存储和运行该晶体管。
电路：IRF640与IRF740
产品属性：IRF740与IRF 640
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RF740 |
IFR640 |
| 类别 |
分立半导体产品 |
分立半导体产品 |
| 晶体管 – FET、MOSFET – 单 |
晶体管 – FET、MOSFET – 单 |
|
| 制造商 | 意法半导体 | 意法半导体 |
| 系列 | PowerMESH™ II |
MESH OVERLAY™ |
| 场效应管类型 | N沟道 | N沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压 (Vdss) | 400V | 200V |
| 电流 – 连续漏极 (Id) @ 25°C | 10A（温度） | 18A（温度） |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V | 10V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 550mOhm@5.3A，10V | 180mOhm@9A，10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V@250μA | 4V@250μA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 43nC@10V | 72nC@10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1400pF@25V | 1560pF@25V |
| 功耗（最大） | 125W（温度） | 125W（温度） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（Tj） | 150°C（Tj） |
| 安装类型 | 通孔 | 通孔 |
| 供应商设备包 | TO-220 | TO-220 |
| 包装/箱 | TO-220-3 | TO-220-3 |
常见问题整理
IRF740是什么？
答：IRF740是一款N沟道功率MOSFET，可开关高达400V的负载。MOSFET可以开关消耗高达10A的负载，它可以通过在栅极和源极引脚之间提供10V的栅极阈值电压来开启。...因此，这种MOSFET不能用于需要高开关效率的应用。
IRF640是什么？
答：IRF640是一款N沟道MOSFET，专为高速开关目的而设计。这种高速开关能力在开关速度至关重要的应用中非常有用，例如在UPS电路中或在用户想要将负载输入功率从一个电源更改为另一个电源的任何其他应用中。
MOSFET晶体管有什么用途？
答：MOSFET晶体管的目的本质上是控制源极和漏极之间的电压/电流。
功率MOSFET有何用途？
答：功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是三端硅器件，通过向栅极施加信号来控制源极和漏极之间的电流传导来发挥作用。
什么是N沟道MOSFET？
答：N沟道MOSFET是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，属于场效应晶体管 (FET)。...这种类型的晶体管也称为绝缘栅场效应晶体管（IGFET）。有时它也称为金属绝缘体场效应晶体管（MIFET）。
IRF740晶体管的最大负载电压是多少？
答：400V。
IRF640是什么类型的MOSFET？
答：N沟道MOSFET。
IRF640在什么类型的应用中表现良好？
答：通用开关应用。
IRF640可以作为独立的音频放大器使用吗？
答：音频放大器电路级。
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