IRF630场效应管参数_引脚图_代换型号
IRF630是一款采用TO-220封装的通孔200V N沟道网格覆盖II功率MOSFET。该功率MOSFET采用该公司基于MESH OVERLAY工艺的综合条带布局设计，可匹配并提高性能。
IRF630器件具有极高的dv/dt能力、极低的固有电容和最小化的栅极电荷，在行业内被广泛使用。
规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| 产品种类: | MOSFET |
| 通孔 | |
| TO-220-3 | |
| N-Channel | |
| 1个 | |
| 200V | |
| 9A | |
| 400 mOhms | |
| –20V, + 20V | |
| 2V | |
| 31nC | |
| –65°C | |
| +150°C | |
| 75W | |
| 增强型 | |
| 配置: | 单 |
| 正向跨导–最小值: | 3S |
| 高度: | 9.15mm |
| 长度: | 10.4mm |
| 上升时间: | 15ns |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 典型接通延迟时间: | 10ns |
| 宽度: | 4.6mm |
| 单位重量: | 2g |
功能特点
- 动态dv/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速切换能力
- 易于并联
- 简单的驱动要求
- 符合RoHS标准且不含卤素
等效和替代型号包括：BUK454-200A、BUK454-200B、2SK1957、2SK2212、BUK444-200A、BUK444-200B、IRFI630G、IRFS630、IRFS631、RFP2N18、YTA630、2SK1957。
引脚配置
3D模型图
电阻负载切换时间测试电路
栅极电荷行为测试电路
感性负载开关和二极管恢复时间的测试电路
未钳位的感应波形
未钳位的感应波形
主要应用
IRF630可用于需要高开关速度的应用。除此之外，它还可以用于符合其规格的任何一般应用。它还适用于音频放大，可用于构建大功率音频放大器。在电路中使用该晶体管的过程与使用任何其它MOSFET相同。一些比较常见的应用包括：
- 电池充电器
- 太阳能供电应用
- 需要快速切换的应用
- 电机驱动器
- UPS
- 电信应用
- Arduino和其它平台输出端的驱动负载
- 200V以下高压开关
注意：为了获得该晶体管的长期性能，建议始终在低于其最大额定值至少20%的情况下使用。最大漏源电压为200V，因此请勿驱动超过160V的负载。最大连续漏极电流为9A，因此请勿驱动超过6.2A的负载，并始终对晶体管使用合适的散热器。请勿在低于-55℃和高于+150℃的温度下存储和操作晶体管。
封装设计参数
常见问题整理
IRF630是什么？
答：STMicroElectronics的IRF630是一款采用TO-220封装的通孔200V N沟道网格覆盖II功率MOSFET。
功率MOSFET有何用途？
答：功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是三端硅器件，通过向栅极施加信号来控制源极和漏极之间的电流传导来发挥作用。
MOSFET如何工作？
答：MOSFET工作原理是改变电荷载流子（电子或空穴）流动的通道宽度。电荷载流子从源极进入沟道并通过漏极退出。沟道的宽度由位于源极和漏极之间的称为栅极的电极上的电压控制。
IRF630有什么特点？
答：栅极电荷最小化。
IRF630适合什么用途？
答：音频放大。
IRF630使用什么类型的晶体管？
答：场效应管。
