半导体是使用具有不同特性的不同材料形成的,可以分为本征半导体和非本征半导体材料。本征半导体材料在化学上非常纯净,具有较少的导电性并且包含较少数量的电荷载流子,而非本征半导体材料的纯度较低并且使用掺杂来产生额外或短缺的电子。本征半导体称为P型,而非本征半导体称为N型半导体。因此,N型半导体中的电子过剩,而P型则短缺。
在导体和绝缘体之间具有导电性的材料称为半导体材料。这些是纯元素,如硅 (Si) 或锗 (Ga),或者是化合物,如砷化镓 (GaAs) 或硒化镉 (CdSe)。在纯半导体的掺杂过程中,可以添加少量杂质,使材料的电导率发生巨大变化。
材料的电导率主要介于绝缘体和导体的电导率之间。半导体材料具有一些有用的特性,可用于设计晶体管、二极管等固态器件。
在化学元素周期表中,半导体材料可分为不同的族。因此,这些材料的特性与它们的原子特性有关,并且也因一组而异。研究人员利用这些差异的好处来增强设计并为所需的应用选择最佳材料。
半导体材料是半导体内的原子,可从元素周期表中的不同族中获得,作为III族和V族的组合或IV族或II族和VI族的组合。在元素周期表中,不同的半导体是用不同族群的不同材料设计的,但它们的特性因不同的半导体而异。
在元素周期表中,硅 (Si) 材料是IV族元素,它是最常用的半导体材料,因为它是IC或集成电路的基础。因此,大多数太阳能电池都是基于Si(硅)的。元素周期表中的半导体材料图如下所示。
在元素周期表部分,常见的半导体材料如下图所示:
通常,半导体是像硅、锗这样的单一元素,像GaAs、CdTe/InP这样的化合物,或者像AlxGa(1-x)As/SixGe(1-x) 这样的合金,其中这些材料中的‘x’是部分范围从零到一的特定元素。
1、锗 (Ge)
像锗这样的半导体材料来自元素周期表中的第IV族。这种材料用于从二极管到早期晶体管的早期器件。二极管显示出温度系数和更高的反向电导率,因此早期的晶体管可能会出现热失控。与硅相比,它提供了卓越的电荷载流子迁移率,因此用于一些基于射频的设备。
2、硅 (Si)
硅材料是化学元素周期表中的IV族元素,是最常用的半导体材料。这些材料制造起来非常简单,并提供最佳的机械和电气性能。当这些材料用于集成电路时,它会在芯片的各种有源元件之间形成用于绝缘层的优质二氧化硅。
3、砷化镓 (GaAs)
继Si之后,砷化镓半导体是应用最广泛的材料,它是元素周期表中的III-V族元素。它广泛用于使用该元素的高电子迁移率的高性能射频设备中。在其他III-V半导体中,它也用作类似衬底的GaInNAs和 InGaAs。与硅相比,这种材料的空穴迁移率较低,制造起来也相当复杂,而且还会增加GaAs器件的成本。
4、碳化硅 (SiC)
碳化硅材料是元素周期表中的IV族元素。这些元件用于功率器件,与硅基器件相比,它们的损耗要小得多且工作温度高。这种材料的击穿能力是硅的十倍以上。碳化硅材料形式用于蓝色和黄色LED。
5、氮化镓 (GaN)
氮化镓材料是元素周期表中的III-V族元素。它最广泛用于需要最大功率和温度的微波晶体管,也用于微波IC。这种半导体材料很难掺杂以提供P型区域并且也对静电放电敏感,但对电离辐射非常不敏感。这种材料已用于蓝色LED。
6、磷化镓 (GaP)
磷化镓或GaP半导体材料是元素周期表中的III-V 族元素。这种材料用于早期的低亮度到中等亮度的LED,这些LED根据添加的掺杂剂产生不同的颜色。纯GaP产生绿光,掺氮发出黄绿色,掺ZnO发出红色。
7、硫化镉 (CdS)
硫化镉半导体材料是元素周期表中的II-VI族元素,这种材料用于太阳能电池和光敏电阻。
8、硫化铅 (PbS)
硫化铅或PbS半导体材料是元素周期表中的IV-VI族元素,在早期的无线电探测器中使用,称为Cat's Whiskers,其中通过在方铅矿上使用细线设计尖端触点以提供信号整流。
目前主要两种类型的半导体材料,即本征半导体材料和非本征半导体材料:
1、本征半导体材料
本征半导体材料在化学上非常纯净,它是其中的主要特征之一。因此,它具有较低的电导率水平,具有非常少数量的电荷载流子,例如等量的电子和空穴。
在这种半导体材料中,作为杂质的替代物,可以通过材料本身的特性来确定电荷载流子的数量。因此,激发电子的数量等于空穴的数量(n=p),也称为未掺杂或i型半导体。
最常用的本征半导体材料是Si和Ge,它们在其价电子层中包含4个电子,称为四价。这两种材料是元素周期表中的第IV族元素,这些材料的原子序数分别为14和32。
2、非本证半导体材料
在基本本征材料中加入少量杂质即可形成非本征半导体材料。在这种材料中,可以通过向材料中添加少量杂质来控制带隙,这称为掺杂。这种“掺杂”利用了元素周期表中的元素,与半导体本身相比,它在价带内的电子将更少或更多。因此,这将造成电子短缺或过剩。
非本征半导体材料根据添加的杂质类型分为两类,如P型非本征半导体和N型非本征半导体。
目前,硅半导体材料正在达到其价值的边界。因此,对新型半导体材料的研究正在进行中。下面简单列出了一些最新的材料创新研究成果:
在设计集成电路和电子设备时,必须提供有关半导体材料的信息。在制造过程开始之前,必须根据不同的参数(如电学、光学和热学)来区分半导体材料。
半导体材料基本参数是载流子的导电类型、迁移率、电阻率、浓度和寿命。其它一些附加参数是半导体的能隙、光吸收系数、碰撞电离系数和折射率。
市场上有不同的半导体材料,如硅、锗、砷化镓、碳化硅、氮化镓等。每种材料都有一些优点和缺点。所以在这里,简单说说一些材料的优点和缺点。
硅材料的优点是:
锗材料的优点是:
半导体材料的应用包括以下几个方面:
以上就是关于半导体材料、类型及其应用的概述等基础内容。不难发现,不同的半导体材料可以应用在不同的电子制造应用中,其中硅是最常用的材料,因为硅的能带隙为 0.7ev,热对的产生更小,在自然界中容易获得,更少噪音,而且SiO2的形成很简单。
此外,硅材料用于制造许多电子元件,用于不同的电路,如电阻器、二极管、电容器、晶体管、开关等。
