华为研究混合3D芯片堆叠技术 或可绕过美国技术制裁！

据报道，华为开发了一种芯片堆叠工艺，并申请了专利，这将比现有的芯片堆叠工艺成本低得多。不过，华为的这项技术是基于旧节点，但提高了芯片性能。而这，可能有助于华为避开美国的制裁。

美国政府将华为及其芯片供应商HiSilicon新思科技列入黑名单，现在要求所有生产芯片的公司都申请出口许可证。而且，所有半导体生产都涉及美国开发的技术，华为无法接入任何现代节点（如台积电的N5），只有依赖旧有的节点。 华为前轮值董事长郭平在最近的一次新闻发布会上说：「为此，创新的芯片封装、chiplet互连技术以及特别的3D堆叠，是公司把更多的晶体管做在一个芯片上的方式，从而在竞争力上获得更好表现。」

华为高管表示，由于现代前沿工艺技术发展相对缓慢，采用2.5D或3D封装的多芯片设计，是芯片设计师的一种通用方法，它可以把更多晶体管做在他们的产品上，这样可以满足客户在新特征和新性能方面的期待。

 郭平强调，华为将继续投资于内部设计的面积增强（area enhancing）和堆叠技术。 新闻发布会公开清楚地声明，华为打算在即将推出的产品中，使用混合免费TSV3D堆叠方法，或者可能是类似的、更主流的方法。 主要的问题是，这种方法是否需要美国的先进工具或技术，毕竟，大多数制造工具使用的是源自美国的技术。 

然而，是否存在代工公司，使用华为的专利技术，为其生产3D芯片封装，目前并不清楚。 但至少华为拥有一种独特的廉价3D堆叠技术，可以帮助它在不使用最新节点的情况下保持竞争力。