二极管是简单且用途广泛的器件,具有不同的类型,可根据要求使用。每种类型的二极管都有自己的特性,因此可以在特定的应用中使用。
在众多二极管当中,有一种不太常见但非常有用的二极管,它是阶跃恢复二极管(Step-Recovary Diode)。阶跃恢复二极管也称为电荷存储二极管、折断二极管或存储变容二极管。在本文当中,小编将简单介绍关于阶跃恢复二极管的基础知识内容。
用于产生非常短脉冲的半导体二极管称为阶跃恢复二极管,该二极管在低频下提供最大开关速度,因此它也可用作充电控制开关。阶跃恢复二极管能够产生非常尖锐的脉冲。

阶跃恢复二极管的工作原理类似于频率较低的普通二极管。当该二极管正向偏置时,它们会导通,在反向偏置条件下,它充当开路。然而,一旦这个二极管从正向偏置切换到反向偏置,它就会立即改变其状态,而且高频下的切换过程需要时间,其符号如下图所示:
阶跃恢复二极管的构造可以与普通二极管类似,但主要区别在于掺杂强度。阶跃恢复二极管的基本结构是基于肖克利二极管,由两个pn结串联组成,第三个端子用于输入电压。因此与单个PN结二极管相比,它表现出特殊的动态开关特性。
由于结区域内的电荷载流子数量较少,阶跃恢复二极管结构具有大约几纳秒的较低开关时间。当该区域内的电荷较少时,一旦从正向偏压变为反向偏压,就可以快速产生少量电荷。下图显示了阶跃恢复二极管的掺杂分布。
通常情况下,在低频下,该阶跃恢复二极管的性能类似于典型二极管。这种二极管提供极低的阻抗,接近1欧姆,但由于结处的电荷存储,其阻抗开始缓慢增加。
一旦给该二极管提供负输入周期,电荷载流子将需要一些时间才能从结完全排出,因此,在负输入周期开始时可以观察到少量电流。
阶跃恢复二极管是用于重复脉冲操作的最常见二极管,这些二极管具有非常快的恢复时间,这使它们能够处理高峰值电流和电压,所以也被称为峰值电流二极管或雪崩二极管。
阶跃恢复二极管具有结电容,必须在它们导通之前对其进行充电。它们的电容非常大,以至于需要很长时间才能充电到足以传导正常水平的电流。这些电容器由两个pn结之间的耗尽区形成。当在反向偏置的二极管上施加电压时,结电容充电,直到达到器件进行雪崩击穿的临界点。当电子在没有电阻的情况下流过器件的所有部分时,就会发生这种击穿,从而产生巨大的电流并产生过多的热量。
一旦存储的电荷消失,则反向电流突然下降为零,从而消除了反向电流拖尾。所以,阶跃恢复二极管具有非常短的缺陷并且也具有良好的正向导电性。正是由于这种导电性,它只会在正向电压下存储大量少数电荷载流子。阶跃恢复二极管的正向偏置特性与普通二极管相似,由于该二极管在整个转发操作过程中会存储大量的少数电荷载流子,因此称为电荷存储二极管。
此外,阶跃恢复二极管具有负电阻特性,这意味着当它们的电压降低时它们会传导更多的电流。
当然,为了更好地理解阶跃恢复二极管的工作原理,必须首先要了解负电阻的概念。当设备通过电流并且其两端的电压降低而不是像大多数情况下那样增加时,就会发生这种现象。当这种情况发生时,可以产生负电压并将其用作能量。
这种行为允许它们在与某些电路一起使用时充当放大器或振荡器。在低频下,该二极管的工作原理与普通二极管一样,这意味着一旦二极管正向偏置,它就会导通。与其他二极管相比,它的掺杂水平较低。
基于阶跃恢复二极管的UWB脉冲发生器电路的实现如下所示。通常,UWB(超宽带)无线通信以及无载波UWB雷达技术使用亚纳秒或窄纳秒脉冲作为传输介质。因此本电路用于实现亚纳秒级脉冲发生器,该电路可以用电阻器“R”构建。
该电路的主要原理是利用SRD的快速阶跃恢复特性形成驱动脉冲,缩短上升时间,在达到必要的UWB脉冲后缩小脉冲宽度。因此,对于5V幅度,最终测量的脉冲宽度约为600ps。所以对于实际应用来说已经足够了,但是,嗡嗡声太大了,幅度也很低。该电路的输入和输出波形如下图所示:
阶跃恢复二极管使用各种IC封装,其中包括以下几点:
阶跃恢复二极管的优点包括以下几方面内容:
阶跃恢复二极管的应用包括以下几方面内容。
以上就是关于阶跃恢复二极管工作原理、符号及应用特性相关内容概述,简单来说,阶跃恢复二极管就是一种半导体二极管,用于产生非常尖锐的脉冲,所以该二极管经常用于微波射频电子应用。

