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LM74720-Q1规格参数_功能图_原装销售
604 2023-10-08 08:01:34 来源: 网络 作者: IC先生
LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100 kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35 µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3 µA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护功能，可提供负载突降保护。
LM74720-Q1的特性
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 低静态电流：运行时 35 µA（最大值）
- 3.3 µA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）
- 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
- 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 集成型 29 mA 升压稳压器
- 快速响应反向电流阻断：0.5 µs
- 高达 100 kHz 的有源整流
- 可调节过压保护
- 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
- 与 LM74721-Q1 引脚对引脚兼容
LM74720-Q1功能图
LM74720-Q1规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| Vin (min) (V) | 3 |
| Vin (max) (V) | 65 |
| 通道数 | 1 |
| 特性 | Automotive load dump compatibility, Enable, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| 智商(类型)(mA) | 0.032 |
| Iq (max) (mA) | 0.038 |
| 场效应晶体管 | External back-to-back FET, External single FET |
| 栅极吸收(类型)(mA) | 2.1 |
| IGate脉冲(type) (A) | 2.1 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| VSense反向(类型)(mV) | -6.5 |
| 设计支持 | EVM |
| 评级 | Automotive |
| VGS (max) (V) | 13 |
| 关断电流(ISD) (mA) (A) | 0.0035 |
| 设备类型 | Ideal diode controller |
| 产品类型 | Ideal diode controller |
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