LM74810-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持。具有 60mA 峰值栅极拉电流驱动器级以及短导通和关断延迟时间的 3.8mA 强电荷泵可确保快速的瞬态响应,从而确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,在汽车测试中 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200KHz 的交流叠加输入信号。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许负载断开(开/关控制)并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能,以提供负载突降保护。


| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| Vin (min) (V) | 3 |
| Vin (max) (V) | 65 |
| 通道数 | 2 |
| 特性 | Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| 智商(类型)(mA) | 0.428 |
| Iq (max) (mA) | 0.5 |
| 场效应晶体管 | External back-to-back FET |
| 栅极源(类型)(µA) | 60000 |
| 栅极吸收(类型)(mA) | 1500 |
| IGate脉冲(type) (A) | 2.6 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| VSense反向(类型)(mV) | -4.5 |
| 设计支持 | EVM, Simulation Model |
| 评级 | Automotive |
| Imax (A) | 350 |
| VGS (max) (V) | 15 |
| 关断电流(ISD) (mA) (A) | 0.003 |
| 设备类型 | Ideal diode controller |
| 产品类型 | Ideal diode controller |