BSS138LT1G N通道MOSFET规格参数及主要传输特性

BSS138LT1G是N通道MOSFET器件，典型的应用为DC−DC转换器，便携式和电池、电脑、打印机、PCMCIA卡、蜂窝电话和无绳电话等动力产品中的电源管理。

BSS138LT1G器件低阈值电压 VGS (th) =0.5~1.5V，微型SOT-23表面安装封装，这样可以节省电路板空间。工作温度范围: -55°C到150°C。

BSS138LT1G产品属性

BSS138LT1G主要特点

• 低阈值电压（VGS（th）：0.85 V−1.5 V），非常适合低电压应用。
• 微型SOT−23表面贴装封装节省了电路板空间。
• BVSS前缀，用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；AEC−Q101合格且具备PPAP能力。
• 这些设备是Pb−无卤、无卤素/BFR，符合RoHS标准。

BSS138LT1G Pin脚图

BSS138LT1G框图

BSS138LT1G传输特性

BSS138LT1G阈值电压与温度关系

BSS138LT1G上拉电阻与漏电流的关系

BSS138LT1G安全操作区域

BSS138LT1G封装尺寸图

总结

以上就是关于BSS138LT1G N通道MOSFET器件的主要规格参数情况，该器件是一款非常不错的通道场效应晶体管，其应用范围也是非常的广泛，有兴趣的朋友可以了解下。

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