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TS3DDR4000产品参数_产品特征_原装原厂
463 2023-10-10 13:46:44 来源: 网络 作者: IC先生
TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关，可实现 12 位宽总线切换。该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端口。TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存储器总线系统，并且采用一种专有架构，可提供高带宽（单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB）、低频下的低插入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。TS3DDR4000 兼容 1.8V 逻辑，并且所有开关均为双向开关，提高了设计灵活性。此外，TS3DDR4000 还具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。
TS3DDR4000的特性
- 宽 VDD 范围：2.375V 至 3.6V
- 高带宽：5.6GHz（单端典型值）；6.0GHz（差分典型值）
- 低开关导通电阻 (RON)：8Ω（典型值）
- 低位间偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值为 6ps
- 低串扰：1067MHz 下的典型值为 –34dB
- 低工作电流：40µA（典型值）
- 具有低功耗模式，电流消耗极低：2µA（典型值）
- IOFF保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
- 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
- 静电放电 (ESD) 性能:
- 3kV 人体放电模式（A114B，II 类）
- 1kV 组件充电模式 (C101)
- 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 间距 ZBA 封装
TS3DDR4000功能图
TS3DDR4000规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 协议 | DDR2, DDR3, DDR4, MIPI |
| 配置 | 2:1 SPDT |
| 通道数 | 12 |
| 电源电压(最大)(V) | 3.6 |
| 电源电压(min) (V) | 2.375 |
| 罗恩(打字)(mΩ) | 8300 |
| 输入/输出电压(min) (V) | 0 |
| 输入/输出电压(最大)(V) | 3.3 |
| 电源电流(类型)(µA) | 40 |
| ESD HBM(类型)(kV) | 3 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 85 |
| 串音(dB) | -68 |
| COFF(类型)(pF) | 1 |
| CON (type) (pF) | 0.5 |
| 关闭隔离(类型)(dB) | -34 |
| 关断状态漏电流(最大)(µA) | 5 |
| 罗恩(最大)(mΩ) | 11200 |
| 罗恩通道匹配(最大)(Ω) | 1 |
| RON平面度(类型)(Ω) | 0.6 |
| 关闭时间(disable) (max) (ns) | 65 |
| 开启时间(enable) (max) (ns) | 65 |
| VIH (min) (V) | 1.4 |
| VIL (max) (V) | 0.5 |
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