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LM5050-1-Q1中文参数_产品特点_原厂出售
394 2023-10-11 09:01:41 来源: 网络 作者: IC先生
LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作，当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。
LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动，以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源，可承受高达 100V 的瞬态电压。
LM5050-1-Q1的特性
- 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1（高达 150°C TJ）和 LM5050Q1MK-1（高达 125°C TJ）
- 提供功能安全
- 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
- 宽工作输入电压范围 VIN：1V 至 75V（VIN < 5V 时需要 VBIAS）
- 100V 瞬态电压
- 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
- 针对电流反向 50ns 快速响应
- 2A 峰值栅极关断电流
- 超小 VDS 关断电压，可缩短关断时间
- 封装：SOT-6（薄型 SOT-23-6）
LM5050-1-Q1功能图
LM5050-1-Q1规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| Vin (min) (V) | 5 |
| Vin (max) (V) | 75 |
| 通道数 | 1 |
| 特性 | AUX input, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| 智商(类型)(mA) | 0.4 |
| Iq (max) (mA) | 0.79 |
| TI功能安全类别 | Functional Safety-Capable |
| 场效应晶体管 | External single FET |
| 栅极源(类型)(µA) | 31 |
| 栅极源(max)(µA) | 41 |
| 栅极吸收(类型)(mA) | 2.8 |
| IGate脉冲(type) (A) | 2.8 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 150 |
| VSense反向(类型)(mV) | -41, -28 |
| 设计支持 | EVM, Simulation Model |
| 评级 | Automotive |
| Imax (A) | 250 |
| VGS (max) (V) | 14 |
| 关断电流(ISD) (mA) (A) | 0.1 |
| 设备类型 | ORing controller |
| 产品类型 | ORing controller |
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