MSP430FR2110IPW16R微控制器PDF中文数据及封装参数

MSP430FR2110IPW16R器件是MSP430™微控制器 (MCU) 价值线传感产品组合的一部分。这个超低功耗、低成本的MCU系列提供从0.5KB到4KB的FRAM统一内存大小，并提供多种封装选项，包括小型3-mm×3-mm VQFN封装。该架构、FRAM 和集成外设与广泛的低功耗模式相结合，经过优化，可在便携式、电池供电的传感应用中实现更长的电池寿命。该器件为8位设计提供了迁移路径，以从外设集成以及FRAM的数据记录和低功耗优势中获得更多特性和功能。

此外，MSP430FR2110IPW16R MCU具有功能强大的16位RISC CPU、16位寄存器和常数发生器，有助于最大限度地提高代码效率。数控振荡器 (DCO) 还允许器件在通常不到10µs的时间内从低功耗模式唤醒到活动模式。该MCU的功能集可满足从电器电池组和电池监控到烟雾探测器和健身配件等应用的需求。

在MSP430FR2110IPW16R器件当中，MSP超低功耗 (ULP) FRAM微控制器平台结合了独特的嵌入式FRAM和整体超低功耗系统架构，使系统设计人员能够在降低能耗的同时提高性能。FRAM技术结合了RAM的低能耗快速写入、灵活性和耐用性与闪存的非易失性行为。

主要参数

功能特性

• 嵌入式微控制器
  • 高达16 MHz的16位RISC架构
  • 3.6 V至1.8 V的宽电源电压范围（最小电源电压受SVS电平限制）
• 优化的低功耗模式（3V）
  • 活动模式：120µA/MHz
  • 支持
    • 带VLO的LPM3.5：1 µA
    • 实时时钟 (RTC) 计数器（具有32768-Hz晶振的LPM3.5）：1 µA
  • 关断 (LPM4.5)：34 nA，无SVS
• 高性能模拟
  • 8通道10位模数转换器 (ADC)
    • 集成温度传感器
    • 内部1.5V基准
    • 采样保持200ksps
  • 增强型比较器 (eCOMP)
    • 集成 6位DAC作为参考电压
    • 可编程滞后
    • 可配置的高功率和低功率模式
• 低功耗铁电 RAM (FRAM)
  • 高达3.75KB的非易失性存储器
  • 内置纠错码 (ECC)
  • 可配置的写保护
  • 程序、常量和存储的统一记忆
  • 10 ¹⁵个写周期耐久
  • 抗辐射和非磁性
• 智能数字外设
  • 一个带三个捕捉/比较寄存器的16位定时器 (Timer_B3)
  • 一个 16 位纯计数器RTC计数器
  • 16 位循环冗余校验器 (CRC)
• 增强的串行通信
  • 增强型 USCI A (eUSCI_A) 支持 UART、IrDA 和 SPI
• 时钟系统 (CS)
  • 片上 32kHz RC 振荡器 (REFO)
  • 具有锁频环 (FLL) 的片上 16MHz 数控振荡器 (DCO)
    • ±1% 精度，在室温下使用片上基准
  • 片上极低频 10kHz 振荡器 (VLO)
  • 片上高频调制振荡器 (MODOSC)
  • 外部 32kHz 晶体振荡器 (LFXT)
  • 1 至128的可编程 MCLK预分频器
  • SMCLK源自MCLK，具有1、2、4 或8的可编程预分频
• 通用输入/输出和引脚功能
  • 16 引脚封装上的12个 I/O
  • 8 个中断引脚（P1的4 个引脚和P2的 4 个引脚）可以从LPM唤醒MCU
  • 所有 I/O均为电容式触控I/O
• 开发工具和软件（另见工具和软件）
  • 免费的专业开发环境
  • 开发套件
• 套餐选项
  • 16引脚：TSSOP (PW16)
  • 24引脚：VQFN (RLL)

TSSOP封装Pin脚配置

框图

典型特性——LPM电源电流

典型DCO频率

数字I/O典型特性

带有施密特触发器的P1端口输入/输出

典型晶体连接

用于4线JTAG通信的信号连接电路图

封装设计尺寸参数

总结

MSP430FR2110IPW16R超低功耗微控制器由多个具有不同外围设备的设备组成。该架构与五种低功耗模式相结合，经过优化以延长电池寿命（例如，在便携式测量应用中）。该设备具有强大的16位RISC CPU、16位寄存器和常量生成器，有助于提高代码效率。

此外，MSP430FR2110IPW16R设备是微控制器配置，具有一个定时器、带内置6位DAC作为内部参考电压的eCOMP、高性能10位ADC、支持UART和SPI的eUSCI、具有报警功能的RTC模块以及多达12个I/O引脚。

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