TPS73533QDRBRQ1低压差稳压器规格参数及特性曲线图

TPS73533QDRBRQ1低功耗、低压差线性稳压器具有出色的交流性能和极低的接地电流，提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应，同时消耗非常低的46µA（典型值）接地电流。

TPS73533QDRBRQ1器件使用陶瓷电容器，并使用先进的BiCMOS制造工艺在500mA输出时产生280mV的典型压差电压。此外，TPS73533QDRBRQ1使用精密电压基准和反馈环路在所有负载、线路、工艺和温度变化范围内实现2% (V_{OUT>2.2V) 的整体精度。}

_{TPS73533QDRBRQ1器件的TA=–40°C至125°C完全额定，采用扁平3mm×3mm VSON封装。}

规格参数

功能特性

• 符合汽车应用要求
• AEC-Q100符合以下结果：
  • 器件温度等级 1：–40°C至125°C环境工作温度范围
  • 器件HBM ESD分类级别2
  • 器件CDM ESD分类等级C4B
• 输入电压：2.7V至6.5V
• 具有EN的500mA低压降稳压器
• 低I_Q：46µA
• 提供多种输出电压版本：
  • 1V至4.3V的固定输出
  • 1.25V至6V的可调输出
• 高 PSRR：1 kHz时为68dB
• 低噪声：13.2µV_RMS
• 快速启动时间：45µs
• 使用低 ESR、2µF输出电容器保持稳定
• 出色的负载和线路瞬态响应
• 2%整体精度
  （负载、线路、温度、V_OUT>2.2V）
• 低压差：500mA时为280mV
• 3毫米×3毫米VSON-8封装

VSON封装Pin脚配置

电源纹波抑制与频率（VIN–VOUT=1 V）

框图

典型应用电路

开启相应特性

负载瞬态响应

布局示例图

封装设计尺寸参数

总结

TPS73533QDRBRQ1低压差稳压器将许多射频（RF）电路和精密模拟应用所需的高性能与超低电流消耗相结合。高PSRR由高增益、高带宽误差环路提供，具有良好的电源抑制和非常低的净空（VIN–VOUT）。固定电压版本提供噪声降低引脚，以绕过由带隙基准产生的噪声并改善PSRR。快速启动电路在启动时对电容器快速充电。

此外，高性能和低接地电流的结合也使得TPS73533QDRBRQ1成为便携式应用的最佳选择，所有版本均具有热保护和过电流保护功能。

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