| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 英飞凌 | |
| MOSFET | |
| 贴片/贴片 | |
| TO-252-3 | |
| N通道 | |
| 1个 | |
| 100伏 | |
| 30安 | |
| 31毫欧 | |
| – 20伏，+ 20伏 | |
| 1.2V | |
| 24毫安 | |
| –55摄氏度 | |
| +175摄氏度 | |
| 57瓦 | |
| 增强 | |
| 卷轴、切割胶带 | |
| 下降时间: | 3纳秒 |
| 高度: | 2.3毫米 |
| 长度: | 6.5毫米 |
| 上升时间: | 4纳秒 |
| 晶体管类型: | 1个N通道 |
| 典型关闭延迟时间: | 18纳秒 |
| 典型接通延迟时间: | 6纳秒 |
| 宽度: | 6.22 毫米 |
| 单位重量: | 330 毫克 |
新闻详情
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IPD30N10S3L-34 N通道MOSFET原装规格参数及特性图
715 2022-09-21 17:52:54 来源: IC先生 作者: IC先生
IPD30N10S3L-34是一款N通道MOSFET器件，在增强模式下工作，最大电流高达180A，仪器低开关功耗和传导功率损耗造就极高的热效率。
据了解，IPD30N10S3L-34器件采用稳固的封装，具有出色的品质和高可靠性。而且它还优化极栅电荷总量，实现更小的驱动器输出级，工作温度范围是-55°C~+175°C。
规格参数
功能特点
- N通道-增强模式通过汽车 AEC 101 认证
- MSL1峰值回流温度高达260°C
- 高达175°C的工作温度
- 环保产品（符合RoHS）
- 100%经过雪崩测试
引脚配置
功率耗散特性
安全操作区域
最大瞬态热阻抗特性
典型漏源接通状态电阻
典型传输特性
典型输出特性
典型正向二极管特性
典型雪崩特征
典型雪崩能量
栅极及充电波形
总结
IPD30N10S3L-34是一款比较典型的MOSFET器件，其应用非常的广泛，包括48V逆变器、48V DC-DC、HID照明等应用，由于具有良好的特性，因而被广泛的使用。
如果需要采购IPD30N10S3L-34器件，或者了解更多PDF中文数据，可以访问https://www.mrchip.cn/mall/IPD30N10S3L-34。
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文章标签:
晶体管
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