TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2 国际标准(接触式)规定的最高水平。根据 IEC 61000-4-5(浪涌)规范,这类器件还可提供 5A (8/20µs) 的峰值脉冲电流额定值。
TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻,TPD2EUSB30A 器件可为高速差分 IO 提供出色的保护。
TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用节省空间的 DRT (1mm × 1mm) 封装。TPD4EUSB30 可采用节省空间的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封装。


| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| Vrwm (V) | 5.5 |
| Bi - /单向 | Uni-Directional |
| 通道数 | 2 |
| 箝位电压(V) | 8 |
| IO电容(类型)(pF) | 0.7 |
| Iec 61000-4-5 (a) | 5 |
| IEC 61000-4-2触点(±V) | 8000 |
| 动态电阻(型) | 0.6 |
| 接口类型 | USB 3.0 |
| 击穿电压(min) (V) | 7 |
| IO漏电流(最大)(nA) | 100 |
| 评级 | Catalog |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 85 |