IRFH5300TRPBF是一款强IRFET™功率MOSFET晶体管,它针对低RDS(开启)和高电流能力进行了优化,其整体性能非常的优越,应用广泛。
IRFH5300TRPBF器件非常适合需要性能和坚固性的低频应用。综合产品组合涵盖广泛的应用领域,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。其工作温度范围为-55°C~+150°C。
规格参数
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产品属性
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属性值
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英飞凌
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产品种类:
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MOSFET
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贴片/贴片
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PQFN-8
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N通道
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1个
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30伏
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100安
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1.4毫欧
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– 20伏,+ 20伏
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1.8伏
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120nC
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–55摄氏度
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+150摄氏度
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3.6瓦
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增强
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卷轴、切割胶带
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下降时间:
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13纳秒
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正向跨导 – 最小值:
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190秒
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高度:
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0.83毫米
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长度:
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6毫米
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上升时间:
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30纳秒
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子类别:
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MOSFET
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晶体管类型:
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1个N通道
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典型关闭延迟时间:
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31纳秒
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典型接通延迟时间:
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26纳秒
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宽度:
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5毫米
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单位重量:
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122.136毫克
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功能特点
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低RDSon(<1.4 mΩ)
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PCB的低热阻(<0.5°C/W)
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100%Rg测试
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低轮廓(<0.9mm)
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行业标准引脚
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与现有SMD安装技术兼容
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符合RoHS标准,不含铅、溴和卤素
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MSL1,行业资质
Pin脚配置图
典型传输特性
典型电容与漏极-源极电压
典型栅电荷与栅源电压
最大安全操作区域
阈值电压与温度特性
最大有效瞬态热阻抗,结到外壳(底部)
最大雪崩能量与漏电流特性
开路电感测试电路
切换时间测试电路
栅极充电测试电路
封装设计尺寸参数
总结
IRFH5300TRPBF是一款比较不错的功率MOSFET晶体管,其应用范围也是非常的广泛,可应用于在冲击电流下对12V(典型)母线的MOSFET进行OR运算、电池驱动直流电机逆变器MOSFET等。
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