2N7000场效应管引脚配置_规格参数_替代型号

2N7000是一款N沟道逻辑电平MOSFET，能够切换60V电压。最大漏极电流额定值为200mA（连续），典型漏源电阻为1.2欧姆，栅极阈值电压为3V（VDS=VGS，I_D毫安）。

2N7000 MOSFET器件非常适合小灯、继电器和电机等低功率开关应用。

2N7000 MOSFET采用TO-92封装，其SMD版本 (2N7002 ) 采用SOT-23或TO-236封装。P沟道BS520P是它的互补型号。

引脚配置

类似其他任何MOSFET一样，2N7000引脚排列具有三个引脚，从左到右分别为源极、栅极和漏极（扁平侧，引线指向下方），具体如下图所示：

	引脚名称	描述
G	Gate	控制MOSFET，用于打开和关闭它。
D	Drain	电流流经漏极，通常连接到负载（P沟道）。
S	Source	电流通过发射极从晶体管流出，通常接地（P沟道）。

注意： ONSEMI在2022年1月发布了2N7000最新数据表，但其引出线部分存在错误，在新数据表中的Drain和Source引脚被交换了。而实际的引脚排列与上图是相同的：即引脚1是源极，引脚3是漏极。

规格参数

下面以表格形式给出了2N7000器件的主要技术规格参数。

特征	值
类型	N沟道
封装	TO-92
漏源电压	60伏
栅源电压	±20伏
栅极阈值电压	最大3V
最大漏极电流 – 连续	200毫安
最大漏极电流脉冲	500毫安
最大结温	-55°C至150 °C
最大限度。R DS(ON) (V GS = 10 V, I D = 500 mA)	5 欧姆
最大功耗	400毫瓦

规格特点

• 压控小信号开关
• 2N7000是坚固可靠的MOSFET
• 具有高饱和电流能力
• 该器件提供无铅和无卤素版本

等效的2N7000器件型号包括：BS170、2N7002/NDS7002A(贴片版)、IRFZ44、IRF540N、IRF3205。

主要应用

• 对于低于200 mA（连续）和 500mA脉冲的开关负载。
• 控制小型伺服电机
• 作为功率MOSFET栅极驱动器。
• 低功率开关应用：小型灯、电机和继电器。
• 应用于LED闪光器和调光器中。

开关测试电路和开关波形图

封装设计尺寸参数

常见问题

1、2N7000是什么类型的MOSFET？

答：2N7000是一款N沟道增强型MOSFET ，非常适合小灯、继电器和电机等低功率开关应用。MOSFET设计用于在几乎即时的基础上需要开关速度的条件下工作，这些速度要求使它们成为电源和转换器等应用的理想选择。

2、2N7000是功率MOSFET吗？

不，2N7000 不是功率 MOSFET，因为它具有低电流/电压特性和TO-92 封装。它相当于一个开关晶体管，但额定功率稍高。像FQP30N06L这样的MOSFET被称为功率MOSFET。

3、2N7000是逻辑电平MOSFET吗？

答：是的，2N7000是一个逻辑电平MOSFET，因为它具有3V的低栅极阈值电压（V_DS=V_GS，I_D=1mA），这意味着它可以通过使用微控制器的逻辑电平（3.3V或5V）完全打开。