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IMT65R163M1H中文规格_产品特点_现货专卖

222 2023-12-08 14:16:39 来源: 网络 作者: IC先生

CoolSIC™MOSFET650 V, 163Ω人数封装利用英飞凌SiC技术的优势,实现更高密度的设计和更高的开关频率操作人数的小尺寸和低寄生允许高效和有效地利用电路板空间,以及在更高频率下驱动MOSFET,达到更高的功率密度CoolSIC™MOSFET 650 V, 163Ω在人数封装产品中,还可以为coolmos™和coolgan™提供,使其成为各种系统的有吸引力的一站式选择163Ω产品适用于低至中功率系统,优化每美元的性能它适合新兴的图腾柱PFC拓扑在低或中功率系统中,也实现了直流-直流和交直流级的高效率和密度它还成功地应用于交错拓扑中,以解决中功率系统的高效率目标。


IMT65R163M1H


IMT65R163M1H的特性

  • 小尺寸
  • 低寄生电感和开尔文源连接
  • 降低热阻抗
  • .XT互连
  • 在D²PAK之上的散热改进，与to -220相似
  • 适用于波峰焊或回流焊
  • 工业标准封装- JEDEC工业应用合格(J-STD20和JESD22)

    • IMT65R163M1H优势

  • 实现高系统功率密度和高开关操作
  • 实现更便宜和更快的SMD组装
  • 易用性和与现有供应商的兼容性
  • 降低开关损耗
  • 更低的机箱温度和更高的可靠性
  • 与CoolMOS™和CoolGaN™等英飞凌产品互补，可轻松实现设计嵌入

    • IMT65R163M1H规格参数

    产品属性属性值
    ID(@25°C) 19 A
    工作温度 -55 °C   175 °C
    极性N
    资格Industrial
    RDS (on) (@ Tj = 25°C)163 mΩ
    VDS公司 650 V
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    标题：IMT65R163M1H中文规格_产品特点_现货专卖
    网址：https://m.mrchip.cn/newsDetail/22906
    文章标签: 芯片
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