IPN60R360PFD7S产品规格_产品特性

IPN60R360PFD7S产品规格_产品特性_原装现货

323 2023-12-08 17:05:10 来源: 网络作者: IC先生

600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPN60R360PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7，可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R360PFD7S，其 R_DS(on) 为 360mOhm，降低了开关损耗。600V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间，可促进生产。

该产品系列旨在实现超高功率密度和高效率设计。这些产品主要适用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动器。CoolMOS™与 P7 和 CE MOSFET 技术相比， 600V CoolMOS™ PFD7 的轻载和满载效率提高，功率密度提高了 1.8W / inch³。

IPN60R360PFD7S

IPN60R360PFD7S的特性

FOM R_DS(on) x E_oss非常低
集成坚固耐用的快速体二极管
高达 2kV 的静电放电保护
广泛的 R_DS(on)数值
出色的换向强度
低 EMI
广泛的产品封装组合

IPN60R360PFD7S优势

开关损耗非常小
与新型 CoolMOS™ 充电器技术相比，提高了功率密度
与 CoolMOS™ CE 技术相比，在低功率驱动器应用中效率更高并热性能更加出色
降低了物料清单成本，易于生产
坚固耐用
可轻松选择合适的部件进行设计微调

IPN60R360PFD7S规格参数

产品属性	属性值
ID	10 A
ID(@25°C)	10 A
IDpuls	24 A
越来越多的	SMT
工作温度	-40 °C 150 °C
Ptot	7 W
包	SOT-223
销数	3 Pins
极性	N
路上	12.7 nC
RDS(上)	360 mΩ
RDS (on) (@10V)	360 mΩ
特殊功能	price/performance
VDS公司	600 V
vg (th)	4 V 3.5 V 4.5 V

标题：IPN60R360PFD7S产品规格_产品特性_原装现货
网址：https://m.mrchip.cn/newsDetail/22907

文章标签: 芯片