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ISC010N06NM5规格参数_功能图_原装供应
171 2023-12-08 10:15:30 来源: 网络 作者: IC先生
英飞凌 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 60 V 采用 SuperSO8 封装 (ISC010N06NM5)，具备低导通电阻 RDS(on)（25˚C 和 175˚C 下）和高连续电流（可达 330 A）。英飞凌 OptiMOS™ 3 和 5 产品系列新增 SuperSO8 封装型 OptiMOS™ MOSFET，器件功率密度和稳健性更高，可降低系统成本并增强性能。低反向恢复电荷 (Qrr) 将大幅降低电压过冲，因此无需使用吸收电路，进而可减少工程成本和工作量，提高系统可靠性。
ISC010N06NM5的特性
- 极低的 RDS(on)（25˚C 下）
- 低 RthJC
- 低反向恢复电荷 (Qrr)
- 工作温度可高达 175°C
ISC010N06NM5优势
- 低导通损耗、高功率密度和效率
- 并联更少，可降低系统成本
- 低电压过冲
- 优异的热性能
ISC010N06NM5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电池电压 | 24-36 V |
| 预算价格€/ 1000 | 1.96 |
| ID | 330 A |
| ID(@25°C) | 330 A |
| IDpuls | 1320 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 214 W |
| 包 | SuperSO8 5x6 |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| 路上 | 115 nC |
| QG(类型@10V) | 115 nC |
| RDS(上) | 1.05 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 1.05 mΩ |
| VDS公司 | 60 V |
| vg (th) | 2.8 V 2.1 V 3.3 V |
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