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IST006N04NM6产品参数_功能特性_原装供应
249 2023-12-08 11:53:22 来源: 网络 作者: IC先生
采用封装的OptiMOS™ 6 功率 MOSFET40V MOSFETsTOLL具有极低的 RDS(on) （0.60mOhm）和 475A 的高电流能力。英飞凌在强大的工业封装领域质量突出，是改进电池供电应用、电池保护和电池成型等各种性能的理想解决方案。
改进的 RDS(on) 和 ID 额定值（连续和脉冲）可延长电池运行时间并提高功率密度。
IST006N04NM6的特性
- 通过 JEDEC 注册
- 7X8mm² 小封装
- 475A 的高电流能力
- 无引线封装，封装电阻低，杂散电感极小
- 新一代 OptiMOSTM 6 技术
- RDS(on) 为 0.60mOhm
- 引线前端长度检测功能(自动光学检测功能)
IST006N04NM6优势
- 高功率、高电流密度
- 高热容量
- 低通态损耗
- 经过优化的开关行为
- 与传统的 DPAK/D2PAK 相比，尺寸更小
- 工业标准包装（JEDEC MO-319A）
IST006N04NM6规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 1.44 |
| ID(@25°C) | 475 A |
| IDpuls | 1900 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 250 W |
| 包 | sTOLL (HSOF-5) |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 127 nC |
| RDS (on) (@10V) | 0.6 mΩ |
| VDS公司 | 40 V |
| vg (th) | 2.5 V 2.1 V 3.3 V |
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芯片
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