| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| Infineon | |
| 产品种类: | MOSFET |
| SMD/SMT | |
| D2PAK-3 (TO-263-3) | |
| N-Channel | |
| 1 Channel | |
| 55V | |
| 49A | |
| 17.5mOhms | |
| – 20V, +20V | |
| 1.8V | |
| 42nC | |
| –55°C | |
| +175°C | |
| 110W | |
| 增强型 | |
| 配置: | Single |
| 高度: | 2.3mm |
| 长度: | 6.5mm |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 宽度: | 6.22mm |
| 单位重量: | 330mg |
新闻详情
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IRFZ44N场效应管参数_代替型号_测试电路
1360 2024-01-25 15:49:32 来源: IC先生 作者: IC先生
IRFZ44N是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（简称功率MOSFET），它是一款常用于功率放大和开关电路的MOSFET，通常用于低频和中频应用。
本文主要IRFZ44N MOSFET引脚排列、数据表、等效项、功能以及有关如何使用以及在何处使用它器件的其他信息，和小编一起来看看吧。
规格参数
功能特性
- 先进工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速切换
- 完全雪崩额定
- 无铅
替代型号包括IRF2807、IRFB3207、IRFB4710；等效型号包括IRFZ46N、STP55N06、2SK2376、BUK456-60H、STP50N06、2SK2312、2SK2376、BUZ 102S、IRF1010A。
引脚配置
- 源极：电流通过源极流出
- 栅极；控制MOSFET的偏置
- 漏极：电流通过漏极流入
需要注意，为了获得IRFZ44N的长期性能，建议不要在其最大额定值下使用该晶体管。在最大额定值下使用任何组件都会对组件造成压力，并可能损坏或削弱其内部电路，从而导致性能下降。始终建议使用至少低于最大容量或规格20%的组件。
IRFZ44N将应用相同的规则。最大漏极电流为49安培，因此请勿驱动超过39安培的负载。最大负载电压为55V，为了安全起见，请勿驱动超过44V的负载。栅极到源极电压应低于±20V，并且始终在高于-55摄氏度和低于+175摄氏度的温度下存储或操作晶体管。
符号图
开关时间测试电路
非钳位电感测试电路
栅极电荷测试电路
峰值二极管恢复dv/dt测试电路
主要应用
- 电池充电器
- 电池管理系统
- 太阳能电池充电器和应用
- 快速切换应用
- 不间断电源
- 电机驱动电路
- 太阳能不间断电源
封装外形
IRLZ44N和IRFZ44N区别
IRLZ44N和IRFZ44N MOSFET经常相互混淆并且使用不正确。IRLZ44N是一款逻辑电平MOSFET，具有5V的极低栅极阈值电压，这意味着MOSFET只需在其栅极引脚上施加5V电压即可完全导通，从而无需驱动器电路。
另外，如果必须使用Arduino等微控制器完全打开MOSFET，则IRFZ44N需要栅极驱动器电路。然而，它确实可以通过I/O引脚的直接5V部分开启，但输出漏极电流将受到限制。
常见问题整理
IRFZ44N在哪里使用？
答：IRFZ44N以其高漏极电流和快速开关速度而闻名。此外，它还具有较低的Rds值，这将有助于提高开关电路的效率。MOSFET将在4V的小栅极电压下开始导通，但只有在施加10V的栅极电压时漏极电流才会最大。如果MOSFET必须直接由Arduino等微控制器驱动，请尝试逻辑级版本IRLZ44N MOSFET。
如何使用IRFZ44N？
答：与晶体管不同，MOSFET是电压控制器件。这意味着，可以通过提供所需的栅极阈值电压 (VGS) 来打开或关闭它们。IRFZ44N是N沟道MOSFET，因此当栅极引脚上没有施加电压时，漏极和源极引脚将保持开路状态。当施加栅极电压时，这些引脚关闭。
如果需要用Arduino进行切换，那么使用晶体管的简单驱动电路将提供所需的栅极电压来触发MOSFET完全打开。对于其他开关和放大应用，需要专用的MOFET 驱动器IC。
功率MOSFET有何用途？
答：功率MOSFET广泛应用于交通运输技术，其中包括各种车辆。在汽车行业，功率MOSFET广泛应用于汽车电子领域。功率MOSFET（包括DMOS、LDMOS和VMOS）通常用于各种其它应用。
如何打开MOSFET通道？
答：N沟道–对于N沟道MOSFET，源极接地。为了打开MOSFET，需要提高栅极电压。要关闭它，需要将栅极接地。P通道–源连接至电源轨 (Vcc)。
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