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IRF530场效应管参数_引脚排列_应用电路

814 2024-01-25 16:26:41 来源: IC先生 作者: IC先生

IRF530器件是Vishay的第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

该器件采用的是TO-220AB封装,它是功耗水平约为50W的所有商业工业应用的普遍首选。TO-220AB的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业的广泛接受。

IRF530

规格参数

产品属性 属性值
Vishay
产品种类: MOSFET
通孔
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100V
14A
160mOhms
–20V, +20V
4V
26nC
–55°C
+175°C
88W
增强型
配置:
下降时间: 24ns
上升时间: 34ns
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23ns
典型接通延迟时间: 10ns
单位重量: 2克

功能特性

  • 动态dV/dt额定值
  • 重复雪崩额定值
  • 175℃工作温度
  • 快速切换
  • 易于并联
  • 简单的驱动要求

引脚配置

引脚配置

典型输出特性,TC =25 °C

典型输出特性

典型传输特性

典型传输特性

典型栅极电荷与栅源电压的关系

典型栅极电荷与栅源电压的关系

典型源漏二极管正向电压

典型源漏二极管正向电压

关时间测试电路

开关时间测试电路

未钳位电感测试电路

未钳位电感测试电路

栅极电荷测试电路

栅极电荷测试电路

封装设计参数

封装设计参数

常见问题整理

什么是IRF530功率MOSFET ?

答:IRF530是一款专为高速和大功率应用而设计的N沟道MOSFET,它可兼容维持14A 的连续电流和100V 的电压。在脉冲模式下,它可以驱动高达56 A的负载。

功率MOSFET如何工作?

答:它的工作原理是改变电荷载流子(电子或空穴)流动的通道宽度。电荷载流子从源极进入沟道并通过漏极退出。沟道的宽度由位于源极和漏极之间的称为栅极的电极上的电压控制。

什么是N沟道MOSFET?

答:N沟道MOSFET是MOSFET的一种类型,其中MOSFET的沟道由大多数电子作为载流子组成。当 MOSFET 激活并导通时,大部分电流是流过沟道的电子。

MOSFET和功率MOSFET有什么区别?

答:功率 MOSFET 是一种专门用于处理高功率的MOSFET 。与其它普通MOSFET相比,它们具有较高的开关速度,并且在低电压水平的情况下可以更好地工作。但其工作原理与任何其他通用MOSFET类似。

为什么使用 MOSFET?

答:功率MOSFET常用于汽车电子设备,特别是作为电子控制单元中的开关器件以及现代电动汽车中的电源转换器。绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种混合MOS-双极晶体管,也有广泛的应用。

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标题:IRF530场效应管参数_引脚排列_应用电路
网址:https://m.mrchip.cn/newsDetail/35233
文章标签: 晶体管